FCH041N65EF-F155

FCH041N65EF-F155 - ON Semiconductor

Numéro d'article
FCH041N65EF-F155
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
14155 pcs
Prix ​​de référence
USD 11.63/pcs
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FCH041N65EF-F155 Description détaillée

Numéro d'article FCH041N65EF-F155
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 76A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 7.6mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 298nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12560pF @ 100V
FET Caractéristique Super Junction
Dissipation de puissance (Max) 595W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247 Long Leads
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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