FCH041N65EFLN4 - ON Semiconductor

Artikelnummer	FCH041N65EFLN4
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	76A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 7.6mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	298nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	12560pF @ 100V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	595W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-4
Paket / Fall	TO-247-4
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FCH040N65S3-F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	Einzelheiten
FCH040N65S3_F155	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	Einzelheiten
FCH041N60E	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 77A TO-247	Einzelheiten
FCH041N60F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 76A TO247	Einzelheiten
FCH041N60F-F085	ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 76A TO247	Einzelheiten
FCH041N60F_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 76A TO247	Einzelheiten
FCH041N65EF-F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 76A TO247	Einzelheiten
FCH041N65EFL4	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 76A	Einzelheiten
FCH041N65EFLN4	ON Semiconductor	SF2 650V 44MOHM F TO2474L	Einzelheiten
FCH041N65EF_F155	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 76A TO247	Einzelheiten