BFG35,115

BFG35,115 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
BFG35,115
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TRANS NPN 10V 150MA SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.45/pcs
Notre prix
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BFG35,115 Description détaillée

Numéro d'article BFG35,115
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 18V
Fréquence - Transition 4GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) -
Gain -
Puissance - Max 1W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 100mA, 10V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150mA
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA
Package de périphérique fournisseur SOT-223
Poids -
Pays d'origine -

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