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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - RF › BFG 235 E6327
BFG 235 E6327

BFG 235 E6327 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BFG 235 E6327
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BFG 235 E6327 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
BFG 235 E6327.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4164 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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BFG 235 E6327 Description détaillée

Numéro d'article BFG 235 E6327
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 15V
Fréquence - Transition 5.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.7dB @ 900MHz
Gain 12.5dB
Puissance - Max 2W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 200mA, 8V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 300mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA
Package de périphérique fournisseur PG-SOT223-4
Poids -
Pays d'origine -

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Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
BFG 235 E6327 BFG 235 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 Détails