• Italia
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › BFG 235 E6327
BFG 235 E6327

BFG 235 E6327 - Infineon Technologies

Numero di parte
BFG 235 E6327
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BFG 235 E6327 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
BFG 235 E6327.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3957 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per BFG 235 E6327

BFG 235 E6327 Descrizione dettagliata

Numero di parte BFG 235 E6327
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Frequenza - Transizione 5.5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.7dB @ 900MHz
Guadagno 12.5dB
Potenza - Max 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 200mA, 8V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 300mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223-4
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER BFG 235 E6327

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
BFG 235 E6327 BFG 235 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 Dettagli