BFG35,115 - NXP USA Inc.

Artikelnummer	BFG35,115
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	18V
Frequenz - Übergang	4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-
Gewinnen	-
Leistung max	1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	25 @ 100mA, 10V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	150mA
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket	SOT-223
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BFG 193 E6433	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223	Einzelheiten
BFG 196 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223	Einzelheiten
BFG 19S E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223	Einzelheiten
BFG 235 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223	Einzelheiten
BFG.00.100.PCSG	LEMO	CONN CAP FOR .00. PLUG IP51	Einzelheiten
BFG.0B.100.PCSG	LEMO	CONN CAP FOR 0B-0S PLUG IP51	Einzelheiten
BFG.0B.100.PCSN	LEMO	CONN PLUG CAP FOR .0B.	Einzelheiten
BFG.0F.100.XAZ	LEMO	CONN CAP FOR .0F. PLUG	Einzelheiten
BFG.0K.100.KAS	LEMO	CONN CAP	Einzelheiten
BFG.0K.100.NAS	LEMO	CONN CAP FOR 0K-0L PLUG IP68	Einzelheiten