BFG35,115 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
BFG35,115 |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
18V |
Frequenz - Übergang |
4GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) |
- |
Gewinnen |
- |
Leistung max |
1W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
25 @ 100mA, 10V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
150mA |
Betriebstemperatur |
175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
TO-261-4, TO-261AA |
Lieferantengerätepaket |
SOT-223 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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