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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › BFG 196 E6327
BFG 196 E6327

BFG 196 E6327 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BFG 196 E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BFG 196 E6327 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BFG 196 E6327.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3887 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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BFG 196 E6327 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BFG 196 E6327
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 12V
Frequenz - Übergang 7.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen 9dB ~ 14.5dB
Leistung max 800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR BFG 196 E6327

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BFG 193 E6433 BFG 193 E6433 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 Einzelheiten
BFG 196 E6327 BFG 196 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223 Einzelheiten
BFG 19S E6327 BFG 19S E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223 Einzelheiten