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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › BFG 196 E6327
BFG 196 E6327

BFG 196 E6327 - Infineon Technologies

Numero di parte
BFG 196 E6327
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BFG 196 E6327 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
BFG 196 E6327.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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4403 pcs
Prezzo di riferimento
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BFG 196 E6327 Descrizione dettagliata

Numero di parte BFG 196 E6327
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 7.5GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno 9dB ~ 14.5dB
Potenza - Max 800mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-261-4, TO-261AA
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT223-4
Peso -
Paese d'origine -

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