2N7002PM,315

2N7002PM,315 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
2N7002PM,315
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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2N7002PM,315 Description détaillée

Numéro d'article 2N7002PM,315
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 300mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DFN1006-3
Paquet / cas SC-101, SOT-883
Poids -
Pays d'origine -

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