2N7002PM,315 - NXP USA Inc.

Número de pieza	2N7002PM,315
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	300mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DFN1006-3
Paquete / caja	SC-101, SOT-883
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
2N7000	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles
2N7000,126	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92	Detalles
2N7000-D26Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles
2N7000-D74Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles
2N7000-D75Z	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles
2N7000-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3	Detalles
2N7000BU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92	Detalles
2N7000BU_T	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V TO92	Detalles
2N7000CSM	SEME-LAB	N.CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR	Detalles
2N7000G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Detalles