BUK9Y12-55B,115

BUK9Y12-55B,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article
BUK9Y12-55B,115
Fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.3467/pcs
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BUK9Y12-55B,115 Description détaillée

Numéro d'article BUK9Y12-55B,115
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 61.8A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2880pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur LFPAK56, Power-SO8
Paquet / cas SC-100, SOT-669
Poids -
Pays d'origine -

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