BUK9Y12-100E,115 - Nexperia USA Inc.

Numéro d'article	BUK9Y12-100E,115
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	85A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	64nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7973pF @ 25V
Vgs (Max)	±10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	238W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 25A, 5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	LFPAK56, Power-SO8
Paquet / cas	SC-100, SOT-669
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
BUK9Y104-100B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK	Détails
BUK9Y107-80EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK	Détails
BUK9Y11-30B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK	Détails
BUK9Y11-30B/C1,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH LFPAK	Détails
BUK9Y11-80EX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK	Détails
BUK9Y113-100E,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V LFPAK	Détails
BUK9Y12-100E,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V LFPAK	Détails
BUK9Y12-40E,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V LFPAK	Détails
BUK9Y12-40E/GFX	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH LFPAK	Détails
BUK9Y12-55B,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK	Détails