| Numéro d'article | BUK9Y113-100E,115 |
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| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 5A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paquet / cas | SC-100, SOT-669 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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BUK9Y104-100B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK | Détails |
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BUK9Y107-80EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK | Détails |
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BUK9Y11-30B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 59A LFPAK | Détails |
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BUK9Y11-30B/C1,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | Détails |
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BUK9Y11-80EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK | Détails |
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BUK9Y113-100E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V LFPAK | Détails |
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BUK9Y12-100E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V LFPAK | Détails |
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BUK9Y12-40E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | Détails |
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BUK9Y12-40E/GFX | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH LFPAK | Détails |
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BUK9Y12-55B,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK | Détails |
