MRF5812R2

MRF5812R2 - Microsemi Corporation

Numéro d'article
MRF5812R2
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
17541 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.4423/pcs
Notre prix
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MRF5812R2 Description détaillée

Numéro d'article MRF5812R2
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 18V
Fréquence - Transition 5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 2dB @ 500MHz
Gain 15.5dB
Puissance - Max 1.25W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO
Poids -
Pays d'origine -

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