MRF5812R2 - Microsemi Corporation

Artikelnummer	MRF5812R2
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	18V
Frequenz - Übergang	5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	2dB @ 500MHz
Gewinnen	15.5dB
Leistung max	1.25W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 50mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	200mA
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SO
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MRF 1 AMMO	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MNT 1A 250VAC RADIAL	Einzelheiten
MRF 1-BULK	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MNT 1A 250VAC RADIAL	Einzelheiten
MRF 1-BULK-SHORT	Bel Fuse Inc.	FUSE 1A 350V RADIAL	Einzelheiten
MRF 1.25 AMMO	Bel Fuse Inc.	FUSE BRD MNT 1.25A 250VAC RADIAL	Einzelheiten
MRF 1.25-BULK	Bel Fuse Inc.	FUSE BRD MNT 1.25A 250VAC RADIAL	Einzelheiten
MRF 1.25-BULK-SHORT	Bel Fuse Inc.	FUSE 1.25A 350V RADIAL	Einzelheiten
MRF 1.6 AMMO	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MOUNT 1.6A 250VAC RAD	Einzelheiten
MRF 1.6-BULK	Bel Fuse Inc.	FUSE BOARD MOUNT 1.6A 250VAC RAD	Einzelheiten
MRF 1.6-BULK-SHORT	Bel Fuse Inc.	FUSE 1.6A 350V RADIAL	Einzelheiten
MRF 100 AMMO	Bel Fuse Inc.	FUSE BRD MNT 100MA 250VAC RADIAL	Einzelheiten