MRF5812R2 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MRF5812R2 |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
18V |
Frequenz - Übergang |
5GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) |
2dB @ 500MHz |
Gewinnen |
15.5dB |
Leistung max |
1.25W |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
50 @ 50mA, 5V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
200mA |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket |
8-SO |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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