MRF5812R2

MRF5812R2 - Microsemi Corporation

Número de pieza
MRF5812R2
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
RF TRANS NPN 18V 200MA 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
17791 pcs
Precio de referencia
USD 1.4423/pcs
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MRF5812R2 Descripción detallada

Número de pieza MRF5812R2
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 18V
Frecuencia - Transición 5GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) 2dB @ 500MHz
Ganancia 15.5dB
Potencia - Max 1.25W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SO
Peso -
País de origen -

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