APTM50DSK10T3G

APTM50DSK10T3G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTM50DSK10T3G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
608 pcs
Prix ​​de référence
USD 44.1372/pcs
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APTM50DSK10T3G Description détaillée

Numéro d'article APTM50DSK10T3G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 37A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4367pF @ 25V
Puissance - Max 312W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3
Poids -
Pays d'origine -

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