APTM50A15FT1G

APTM50A15FT1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTM50A15FT1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
New
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4364 pcs
Prix ​​de référence
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APTM50A15FT1G Description détaillée

Numéro d'article APTM50A15FT1G
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5448pF @ 25V
Puissance - Max 208W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1
Poids -
Pays d'origine -

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