APTM50AM19STG

APTM50AM19STG - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTM50AM19STG
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
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3726 pcs
Prix ​​de référence
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APTM50AM19STG Description détaillée

Numéro d'article APTM50AM19STG
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 170A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 492nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 22400pF @ 25V
Puissance - Max 1250W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP4
Package de périphérique fournisseur SP4
Poids -
Pays d'origine -

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