APTM50AM19STG

APTM50AM19STG - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTM50AM19STG
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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APTM50AM19STG Descrizione dettagliata

Numero di parte APTM50AM19STG
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 170A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 85A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 492nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 22400pF @ 25V
Potenza - Max 1250W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP4
Pacchetto dispositivo fornitore SP4
Peso -
Paese d'origine -

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