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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › APT75GN60B2DQ3G
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APT75GN60B2DQ3G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 600V 155A 536W TO264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APT75GN60B2DQ3G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3548 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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APT75GN60B2DQ3G Description détaillée

Numéro d'article APT75GN60B2DQ3G
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 155A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 75A
Puissance - Max 536W
Échange d'énergie 2500µJ (on), 2140µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 485nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 47ns/385ns
Condition de test 400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-264-3, TO-264AA
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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