| Numéro d'article | APT75GN120B2G |
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| État de la pièce | Not For New Designs |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Puissance - Max | 833W |
| Échange d'énergie | 8045µJ (on), 7640µJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 425nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 60ns/620ns |
| Condition de test | 800V, 75A, 1 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-247-3 Variant |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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APT75DF170HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1700V SOT-227 | Détails |
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APT75DL120HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 1200V SOT-227 | Détails |
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APT75DL60HJ | Microsemi Corporation | MOD DIODE 600V SOT-227 | Détails |
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APT75DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | Détails |
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APT75DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247 | Détails |
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APT75DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 | Détails |
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APT75F50B2 | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 | Détails |
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APT75F50L | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 | Détails |
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APT75GN120B2G | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 200A 833W TMAX | Détails |
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APT75GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 124A 379W SOT227 | Détails |
