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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › APT75GN120B2G
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APT75GN120B2G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 1200V 200A 833W TMAX
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APT75GN120B2G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1833 pcs
Prix ​​de référence
USD 14.6025/pcs
Notre prix
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APT75GN120B2G Description détaillée

Numéro d'article APT75GN120B2G
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Puissance - Max 833W
Échange d'énergie 8045µJ (on), 7640µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 425nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 60ns/620ns
Condition de test 800V, 75A, 1 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3 Variant
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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