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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › APT25GN120B2DQ2G
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APT25GN120B2DQ2G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APT25GN120B2DQ2G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2713 pcs
Prix ​​de référence
USD 9.88/pcs
Notre prix
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APT25GN120B2DQ2G Description détaillée

Numéro d'article APT25GN120B2DQ2G
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT, Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 67A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Puissance - Max 272W
Échange d'énergie 2.15µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 155nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 22ns/280ns
Condition de test 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3 Variant
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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