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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › APT25GP120BDQ1G
APT25GP120BDQ1G

APT25GP120BDQ1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APT25GP120BDQ1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
IGBT 1200V 69A 417W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
APT25GP120BDQ1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
710 pcs
Prix ​​de référence
USD 13.69/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

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APT25GP120BDQ1G Description détaillée

Numéro d'article APT25GP120BDQ1G
État de la pièce Active
Type d'IGBT PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 69A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 25A
Puissance - Max 417W
Échange d'énergie 500µJ (on), 440µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 110nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 12ns/70ns
Condition de test 600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247 [B]
Poids -
Pays d'origine -

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