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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › APT25GN120B2DQ2G
APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT25GN120B2DQ2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT 1200V 67A 272W TMAX
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APT25GN120B2DQ2G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2744 pcs
Prezzo di riferimento
USD 9.88/pcs
Il nostro prezzo
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APT25GN120B2DQ2G Descrizione dettagliata

Numero di parte APT25GN120B2DQ2G
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 67A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 75A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Potenza - Max 272W
Cambiare energia 2.15µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 155nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 22ns/280ns
Condizione di test 800V, 25A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3 Variant
Pacchetto dispositivo fornitore -
Peso -
Paese d'origine -

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