2N7334

2N7334 - Microsemi Corporation

Numéro d'article
2N7334
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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4158 pcs
Prix ​​de référence
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2N7334 Description détaillée

Numéro d'article 2N7334
État de la pièce Active
FET Type 4 N-Channel
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.4W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Package de périphérique fournisseur MO-036AB
Poids -
Pays d'origine -

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