| Numero di parte | 2N7334 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 4 N-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 600mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.4W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MO-036AB |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | Dettagli |
|
2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | Dettagli |
|
2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
|
2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
|
2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
|
2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Dettagli |
|
2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
|
2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
|
2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
|
2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
