MT40A2G4WE-075E:B

MT40A2G4WE-075E:B - Micron Technology Inc.

Numéro d'article
MT40A2G4WE-075E:B
Fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Mémoire
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
30565 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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MT40A2G4WE-075E:B Description détaillée

Numéro d'article MT40A2G4WE-075E:B
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR4
Taille mémoire 8Gb (2G x 4)
Fréquence d'horloge 1.33GHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.14V ~ 1.26V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -
Poids -
Pays d'origine -

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