| Artikelnummer | MT40A2G4WE-075E:B |
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| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - DDR4 |
| Speichergröße | 8Gb (2G x 4) |
| Taktfrequenz | 1.33GHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.26V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MT40A256M16GE-062E IT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ | Einzelheiten |
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MT40A256M16GE-062E IT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1.6GHZ 96BGA | Einzelheiten |
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MT40A256M16GE-062E:B | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1.6GHZ 96BGA | Einzelheiten |
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MT40A256M16GE-062E:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA | Einzelheiten |
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MT40A256M16GE-075E AAT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ | Einzelheiten |
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MT40A256M16GE-075E AAT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1.33GHZ 96BGA | Einzelheiten |
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MT40A256M16GE-075E AIT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ | Einzelheiten |
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MT40A256M16GE-075E AIT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1.33GHZ 96BGA | Einzelheiten |
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MT40A256M16GE-075E AUT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ | Einzelheiten |
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MT40A256M16GE-075E AUT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1.33GHZ 96BGA | Einzelheiten |
