MT40A2G4WE-075E:B - Micron Technology Inc.

Número de pieza: MT40A2G4WE-075E:B
Fabricante: Micron Technology Inc.
Breve descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Memoria
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 30565 pcs
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Número de pieza	MT40A2G4WE-075E:B
Estado de la pieza	Active
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	DRAM
Tecnología	SDRAM - DDR4
Tamaño de la memoria	8Gb (2G x 4)
Frecuencia de reloj	1.33GHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página	-
Tiempo de acceso	-
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.14V ~ 1.26V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 95°C (TC)
Tipo de montaje	-
Paquete / caja	-
Paquete de dispositivo del proveedor	-
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
MT40A256M16GE-062E IT:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ	Detalles
MT40A256M16GE-062E IT:B TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 1.6GHZ 96BGA	Detalles
MT40A256M16GE-062E:B	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 1.6GHZ 96BGA	Detalles
MT40A256M16GE-062E:B TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA	Detalles
MT40A256M16GE-075E AAT:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ	Detalles
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 1.33GHZ 96BGA	Detalles
MT40A256M16GE-075E AIT:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ	Detalles
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 1.33GHZ 96BGA	Detalles
MT40A256M16GE-075E AUT:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ	Detalles
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 4GBIT 1.33GHZ 96BGA	Detalles