IXTY4N65X2

IXTY4N65X2 - IXYS

Numéro d'article
IXTY4N65X2
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
62 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.05/pcs
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IXTY4N65X2 Description détaillée

Numéro d'article IXTY4N65X2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 850 mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-252
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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