IXTY01N100D - IXYS

Numéro d'article	IXTY01N100D
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max)	1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 Ohm @ 50mA, 0V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTY01N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK	Détails
IXTY01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA	Détails
IXTY01N80	IXYS	MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA	Détails
IXTY02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK	Détails
IXTY02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK	Détails
IXTY02N50D TRL	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
IXTY06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252	Détails
IXTY08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK	Détails
IXTY08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252	Détails
IXTY08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220	Détails