IXTY08N100P Description détaillée
Numéro d'article |
IXTY08N100P |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
N-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
1000V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
800mA (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 50µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
11.3nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
240pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET Caractéristique |
- |
Dissipation de puissance (Max) |
42W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
20 Ohm @ 500mA, 10V |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur |
TO-252, (D-Pak) |
Paquet / cas |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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