IXTP3N100D2 Description détaillée
Numéro d'article |
IXTP3N100D2 |
État de la pièce |
Active |
FET Type |
N-Channel |
La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) |
1000V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
3A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
- |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
37.5nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
1020pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET Caractéristique |
Depletion Mode |
Dissipation de puissance (Max) |
125W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
5.5 Ohm @ 1.5A, 0V |
Température de fonctionnement |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage |
Through Hole |
Package de périphérique fournisseur |
TO-220AB |
Paquet / cas |
TO-220-3 |
Poids |
- |
Pays d'origine |
- |
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