IXTP3N100D2

IXTP3N100D2 - IXYS

Artikelnummer
IXTP3N100D2
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
130 pcs
Referenzpreis
USD 3.21/pcs
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IXTP3N100D2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTP3N100D2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 37.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft Depletion Mode
Verlustleistung (Max) 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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