IXTP01N100D - IXYS

Artikelnummer	IXTP01N100D
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100mA (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	Depletion Mode
Verlustleistung (Max)	1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	110 Ohm @ 50mA, 0V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220AB
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXTP01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB	Einzelheiten
IXTP02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220	Einzelheiten
IXTP02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220	Einzelheiten
IXTP05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220	Einzelheiten
IXTP05N100M	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220	Einzelheiten
IXTP05N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263	Einzelheiten
IXTP06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220	Einzelheiten
IXTP08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB	Einzelheiten
IXTP08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220	Einzelheiten
IXTP08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220	Einzelheiten