IXTP01N100D - IXYS

Numéro d'article	IXTP01N100D
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	1000V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	120pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max)	1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 Ohm @ 50mA, 0V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220AB
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXTP01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB	Détails
IXTP02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220	Détails
IXTP02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220	Détails
IXTP05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220	Détails
IXTP05N100M	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220	Détails
IXTP05N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263	Détails
IXTP06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220	Détails
IXTP08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB	Détails
IXTP08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220	Détails
IXTP08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220	Détails