IXFT30N60P

IXFT30N60P - IXYS

Numéro d'article
IXFT30N60P
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXFT30N60P Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3667 pcs
Prix ​​de référence
USD 6.9453/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IXFT30N60P

IXFT30N60P Description détaillée

Numéro d'article IXFT30N60P
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IXFT30N60P