IXFT23N80Q

IXFT23N80Q - IXYS

Numéro d'article
IXFT23N80Q
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3)
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1330 pcs
Prix ​​de référence
USD 19.12/pcs
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IXFT23N80Q Description détaillée

Numéro d'article IXFT23N80Q
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-268
Paquet / cas TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Poids -
Pays d'origine -

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