IXFN66N50Q2

IXFN66N50Q2 - IXYS

Numéro d'article
IXFN66N50Q2
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
New
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4001 pcs
Prix ​​de référence
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IXFN66N50Q2 Description détaillée

Numéro d'article IXFN66N50Q2
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 66A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 199nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 500mA, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Poids -
Pays d'origine -

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