IXFN40N110Q3

IXFN40N110Q3 - IXYS

Numéro d'article
IXFN40N110Q3
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 1100V 35A SOT-227B
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
639 pcs
Prix ​​de référence
USD 42.379/pcs
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IXFN40N110Q3 Description détaillée

Numéro d'article IXFN40N110Q3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Poids -
Pays d'origine -

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