IXFN210N30P3

IXFN210N30P3 - IXYS

Numéro d'article
IXFN210N30P3
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 300V 192A SOT-227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IXFN210N30P3 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IXFN210N30P3.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
57 pcs
Prix ​​de référence
USD 37.95/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IXFN210N30P3

IXFN210N30P3 Description détaillée

Numéro d'article IXFN210N30P3
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 300V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 192A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 268nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 16200pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 105A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-227B
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IXFN210N30P3