IXFA34N65X2 - IXYS

Numéro d'article	IXFA34N65X2
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3330pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	540W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-263AA
Paquet / cas	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IXFA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK	Détails
IXFA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	Détails
IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	Détails
IXFA110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK	Détails
IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	Détails
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
IXFA130N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK	Détails
IXFA130N10T2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA	Détails
IXFA130N15X3	IXYS	MOSFET N-CH	Détails
IXFA14N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK	Détails