IXFA34N65X2 - IXYS

Artikelnummer	IXFA34N65X2
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3330pF @ 25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	540W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263AA
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
IXFA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK	Einzelheiten
IXFA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	Einzelheiten
IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	Einzelheiten
IXFA110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK	Einzelheiten
IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	Einzelheiten
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFA130N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK	Einzelheiten
IXFA130N10T2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA	Einzelheiten
IXFA130N15X3	IXYS	MOSFET N-CH	Einzelheiten
IXFA14N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK	Einzelheiten