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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IXFA34N65X2
IXFA34N65X2

IXFA34N65X2 - IXYS

Número de pieza
IXFA34N65X2
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 34A TO-263
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IXFA34N65X2 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
30320 pcs
Precio de referencia
USD 5.43/pcs
Nuestro precio
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IXFA34N65X2 Descripción detallada

Número de pieza IXFA34N65X2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3330pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 540W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-263AA
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso -
País de origen -

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