SPI100N03S2L03 - Infineon Technologies

Numéro d'article	SPI100N03S2L03
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8180pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 80A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO262-3-1
Paquet / cas	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
SPI100N03S2-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK	Détails
SPI100N03S2L-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A TO-262	Détails
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