SPI100N03S2L03 - Infineon Technologies

Artikelnummer	SPI100N03S2L03
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	220nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8180pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	300W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3 mOhm @ 80A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO262-3-1
Paket / Fall	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SPI100N03S2-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK	Einzelheiten
SPI100N03S2L-03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A TO-262	Einzelheiten
SPI100N03S2L03	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 100A TO-262	Einzelheiten
SPI100N08S2-07	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK	Einzelheiten
SPI10N10	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK	Einzelheiten
SPI10N10L	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK	Einzelheiten