IRF40H210 - Infineon Technologies

Numéro d'article	IRF40H210
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	152nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5406pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-PQFN (5x6)
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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