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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IRF40H210
IRF40H210

IRF40H210 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IRF40H210
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IRF40H210 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IRF40H210.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
30793 pcs
Referenzpreis
USD 0.8536/pcs
Unser Preis
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IRF40H210 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IRF40H210
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5406pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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