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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPL65R070C7AUMA1
IPL65R070C7AUMA1

IPL65R070C7AUMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPL65R070C7AUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 4VSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPL65R070C7AUMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IPL65R070C7AUMA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
5677 pcs
Prix ​​de référence
USD 4.6456/pcs
Notre prix
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IPL65R070C7AUMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPL65R070C7AUMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 28A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3020pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 169W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 8.5A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-VSON-4
Paquet / cas 4-PowerTSFN
Poids -
Pays d'origine -

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